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出现（e）GDs器件开关原理示意图。明物(c)GDs器件500次电流电压循环特性。

解决了传统导电丝(如Ag+、桌下Cu2+)成核随机性和不可控性的问题，提高了忆阻器开关电压的均匀性和稳定性，降低了忆阻器器件的功耗。本工作突破了石墨烯缺陷在电子器件中应用的局限性，出现创造性地设计了一种基于碳导电丝机制的忆阻器。明物（a）用于第一性原理计算的多层石墨烯。

桌下(b)GLDs器件60次电流电压循环特性。出现GDs器件能够在最高473K下保持104秒。

明物这项工作为碳导电丝基忆阻器的发展及其在神经形态忆阻器中的应用提供了参考。

桌下(d)GLDs器件开关电压分布图SEB电池的另一显著特点是容量衰减20%后，出现功率衰减非常小（图4D）。

明物而对照组常规电池针刺实验中温度上升到1000oC且电池起火。桌下（AB）SEB电池与对照电池在50%充电状态时充电和放电的直流电阻。

SEB的正负极材料表面均形成了厚且致密的保护膜(SEI和CEI)，出现有效抑制了EC溶剂的扩散和高温/高电压下EC与NCM表面晶格氧的反应。明物（C,D）新鲜和老化的SEB电池的放电曲线。